NDH8502P

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SuperSOT-8
数量：: 1629
说明：: MOSFET DISC BY MFG 2/02

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NDH8502P PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：28 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：18 ns
功率耗散：800 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：18 ns
包装形式：Reel
封装形式：SuperSOT-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：110 mOhms
漏极连续电流：2.2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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