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NDH833N

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SuperSOT-8
数量：
 1611  
说明：
 MOSFET DISC BY MFG 2/02
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NDH833N PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：110 ns
上升时间：35 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35 ns
包装形式：Reel
封装形式：SuperSOT-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quint Drain Dual Source
漏极连续电流：7.1 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDH833N的详细信息，包括NDH833N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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