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NDD02N60ZT4G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 DPAK
数量：
 6822  
说明：
 MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
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NDD02N60ZT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：57 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：10.1 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：1.7 S
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4 Ohms
漏极连续电流：1.4 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NDD02N60ZT4G的详细信息，包括NDD02N60ZT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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