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NDD03N60Z-1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 I-PAK
数量：
 6849  
说明：
 MOSFET NFET IPAK 600V 2.6A 3.6R
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NDD03N60Z-1G-I-PAK图片

NDD03N60Z-1G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：61 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：12 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：2 S
包装形式：Rail
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 125 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 Ohms
漏极连续电流：1.65 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：ON Semiconductor

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