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NDD04N60Z-1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 I-PAK
数量：
 459  
说明：
 MOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R
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NDD04N60Z-1G-I-PAK图片

NDD04N60Z-1G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：83 W
栅极电荷 Qg：19 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：3.3 S
包装形式：Rail
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.8 Ohms
漏极连续电流：4.1 A
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NDD04N60Z-1G的详细信息，包括NDD04N60Z-1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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