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NDD03N50Z-1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
数量：
 6831  
说明：
 MOSFET 500V 2.6A HVFET IPAK
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NDD03N50Z-1G-TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA图片

NDD03N50Z-1G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：58 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Rail
封装形式：IPAK-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 Ohms
漏极连续电流：2.6 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：ON Semiconductor

以上是NDD03N50Z-1G的详细信息，包括NDD03N50Z-1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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