IXTQ48N20T

厂家：: Ixys
封装：: TO-3P
数量：: 522
说明：: MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds

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IXTQ48N20T PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：46 ns
工厂包装数量：30
功率耗散：250000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Bulk
封装形式：TO-3P
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：50 mOhms
漏极连续电流：48 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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