IXTQ52P10P

厂家：: Ixys
封装：: TO-3P-3，SC-65-3
数量：: 10181
说明：: MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds

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IXTQ52P10P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：38 ns
工厂包装数量：50
上升时间：29 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：22 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms
漏极连续电流：52 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 100 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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