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IXTQ69N30P

厂家：
  Ixys
封装：
 TO-3P-3，SC-65-3
数量：
 5995  
说明：
 MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
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IXTQ69N30P-TO-3P-3，SC-65-3图片

IXTQ69N30P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：75 ns
工厂包装数量：30
上升时间：25 ns
功率耗散：500 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：27 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.049 Ohms
漏极连续电流：69 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：300 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTQ69N30P的详细信息，包括IXTQ69N30P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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