IXTQ52N30P

厂家：: Ixys
封装：: TO-3P
数量：: 4095
说明：: MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds

一、本商品被浏览0次.

IXTQ52N30P PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：60 ns
工厂包装数量：30
上升时间：22 ns
功率耗散：400 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：20 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.066 Ohms
漏极连续电流：52 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：300 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTQ52N30P的详细信息，包括IXTQ52N30P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：