IXFN50N80Q2

厂家:
  Ixys
封装:
 SOT-227B
数量:
 1332  
说明:
 MOSFET 50 Amps 800V
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IXFN50N80Q2-SOT-227B图片

IXFN50N80Q2 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:60 ns
工厂包装数量:10
上升时间:25 ns
功率耗散:1135 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:13 ns
包装形式:Tube
封装形式:SOT-227B
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.15 Ohms
漏极连续电流:50 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:800 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFN50N80Q2的详细信息,包括IXFN50N80Q2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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