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IXFN50N80Q2

厂家：
  Ixys
封装：
 SOT-227B
数量：
 1332  
说明：
 MOSFET 50 Amps 800V
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IXFN50N80Q2-SOT-227B图片

IXFN50N80Q2 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：60 ns
工厂包装数量：10
上升时间：25 ns
功率耗散：1135 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：13 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOT-227B
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.15 Ohms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN50N80Q2的详细信息，包括IXFN50N80Q2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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