IXFN55N50F

厂家:
  Ixys
封装:
 SOT-227B
数量:
 5283  
说明:
 MOSFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IXFN55N50F-SOT-227B图片

IXFN55N50F PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:45 ns
工厂包装数量:10
上升时间:20 ns
功率耗散:600 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:9.6 ns
包装形式:Tube
封装形式:SOT-227B
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.085 Ohms
漏极连续电流:55 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFN55N50F的详细信息,包括IXFN55N50F厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC