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IXFN55N50F

厂家：: Ixys
封装：: SOT-227B
数量：: 5283
说明：: MOSFET

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IXFN55N50F PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
工厂包装数量：10
上升时间：20 ns
功率耗散：600 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9.6 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOT-227B
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.085 Ohms
漏极连续电流：55 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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