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IXFN60N80P

厂家：
  Ixys
封装：
 SOT-227-4，miniBLOC
数量：
 5310  
说明：
 MOSFET DIODE Id54 BVdass800
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IXFN60N80P-SOT-227-4，miniBLOC图片

IXFN60N80P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：110 ns
工厂包装数量：10
上升时间：29 ns
功率耗散：1040 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：26 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOT-227B
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.14 Ohms
漏极连续电流：53 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：IXYS

以上是IXFN60N80P的详细信息，包括IXFN60N80P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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