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IXFN62N80Q3

厂家：
  Ixys
封装：
 SOT-227-4，miniBLOC
数量：
 8640  
说明：
 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A
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IXFN62N80Q3-SOT-227-4，miniBLOC图片

IXFN62N80Q3 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：300 ns
功率耗散：960 W
栅极电荷 Qg：270 nC
包装形式：Tube
封装形式：SOT-227
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：140 mOhms
漏极连续电流：49 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN62N80Q3的详细信息，包括IXFN62N80Q3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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