IPD16CNE8N G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO252-3
数量：: 3294
说明：: MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A

一、本商品被浏览0次.

IPD16CNE8N G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IPD16CNE8NGXT
典型关闭延迟时间：27 ns
上升时间：14 ns
功率耗散：100 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：7 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.016 Ohms
漏极连续电流：53 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：85 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD16CNE8N G的详细信息，包括IPD16CNE8N G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：