IPD200N15N3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-252
数量：: 4889
说明：: MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 50A

一、本商品被浏览0次.

IPD200N15N3 G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IPD200N15N3GBTMA1 IPD200N15N3GXT SP000386665
典型关闭延迟时间：23 ns
工厂包装数量：1
上升时间：11 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：6 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.02 Ohms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD200N15N3 G的详细信息，包括IPD200N15N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：