IPD20N03L G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 3339
说明：: MOSFET N-CH 30V 30A DPAK

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IPD20N03L G-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

IPD20N03L G PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：695pF @ 25V
功率 - 最大：42W
安装类型：表面贴装

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