IPD19DP10NMATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO252-3
数量：: 2662
说明：: TRENCH >=100V PG-TO252-3

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IPD19DP10NMATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3W（Ta），83W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2000 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：45 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.04mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：186 毫欧 @ 12A， 10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta）， 13.7A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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