IPB100N04S303ATMA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO263-3-2
数量:
 8811  
说明:
 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
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中文参数如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):214W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9600 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):145 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.5 毫欧 @ 80A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
漏源电压(Vdss):40 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:不适用于新设计
包装:OptiMOS?
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Infineon Technologies

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