IPB100N04S4-H2

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263
数量：: 7083
说明：: MOSFET N-Channel 40V MOSFET

一、本商品被浏览0次.

IPB100N04S4-H2 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2XT SP000711274
典型关闭延迟时间：19 ns
上升时间：13 ns
功率耗散：115 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：70 nC
下降时间：21 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.4 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB100N04S4-H2的详细信息，包括IPB100N04S4-H2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：