IPB100N04S2L03

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263
数量:
 4608  
说明:
 MOSFET MOSFET
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IPB100N04S2L03-TO-263图片

IPB100N04S2L03 PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:77 ns
上升时间:51 ns
功率耗散:300 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:27 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):3 m Ohms
漏极连续电流:100 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:Infineon

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