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IPB09N03LA

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO263-3-2
数量：: 6768
说明：

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IPB09N03LA PDF参数资料

中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：63W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1642 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13 nC @ 5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.9 毫欧 @ 30A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc）
漏源电压（Vdss）：25 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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