IPB039N10N3GE8187ATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）
数量：: 8964
说明：: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

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IPB039N10N3GE8187ATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）
封装/外壳：PG-TO263-7
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
同步整流器：214W（Tc）
频率 - 开关：-
电流 - 输出：8410 pF @ 50 V
电压 - 输出（最大值）：±20V
电压 - 输出（最小值/固定）：117 nC @ 10 V
电压 - 输入（最大值）：3.5V @ 160μA
电压 - 输入（最小值）：3.9 毫欧 @ 100A，10V
输出数：6V，10V
输出类型：160A（Tc）
拓扑：100 V
输出配置：MOSFET（金属氧化物）
功能：N 通道
产品状态：停产
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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