首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FQB10N20LTM

FQB10N20LTM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: D2PAK（TO-263）
数量：: 5238
说明：: MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

一、本商品被浏览0次.

FQB10N20LTM PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：50 ns
工厂包装数量：800
上升时间：150 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：10.7 S
下降时间：95 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.36 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQB10N20LTM的详细信息，包括FQB10N20LTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：