FQB10N20LTM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 D2PAK(TO-263)
数量:
 5238  
说明:
 MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
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FQB10N20LTM-D2PAK(TO-263)图片

FQB10N20LTM PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:50 ns
工厂包装数量:800
上升时间:150 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :10.7 S
下降时间:95 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.36 Ohms
漏极连续电流:10 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQB10N20LTM的详细信息,包括FQB10N20LTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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