FQB10N60CTM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 5265
说明：: MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

一、本商品被浏览0次.

FQB10N60CTM-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

FQB10N60CTM PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：FQB10N60CTM_NL
典型关闭延迟时间：144 ns
工厂包装数量：800
上升时间：69 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：8 S
下降时间：77 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.73 Ohms
漏极连续电流：9.5 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQB10N60CTM的详细信息，包括FQB10N60CTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：