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FQB11P06TM

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 5292  
说明：
 MOSFET 60V P-Channel QFET
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FQB11P06TM-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

FQB11P06TM PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：15 ns
工厂包装数量：800
上升时间：40 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：5.1 S
下降时间：45 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.14 Ohms
漏极连续电流：- 11.4 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQB11P06TM的详细信息，包括FQB11P06TM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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