FQB11P06TM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 5292  
说明:
 MOSFET 60V P-Channel QFET
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FQB11P06TM PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:15 ns
工厂包装数量:800
上升时间:40 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5.1 S
下降时间:45 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.14 Ohms
漏极连续电流:- 11.4 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:- 60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQB11P06TM的详细信息,包括FQB11P06TM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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