FQB12N20LTM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 D2PAK
数量:
 1881  
说明:
 MOSFET
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FQB12N20LTM-D2PAK图片

FQB12N20LTM PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:60 ns
上升时间:190 ns
功率耗散:3.5 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:120 ns
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.28 Ohms
漏极连续电流:11.6 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQB12N20LTM的详细信息,包括FQB12N20LTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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