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FQB12N20LTM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: D2PAK
数量：: 1881
说明：: MOSFET

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FQB12N20LTM PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：60 ns
上升时间：190 ns
功率耗散：3.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：120 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.28 Ohms
漏极连续电流：11.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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