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FQA6N80_F109

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-3P-3，SC-65-3
数量：
 4617  
说明：
 MOSFET 800V N-Channel QFET
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FQA6N80_F109-TO-3P-3，SC-65-3图片

FQA6N80_F109 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：65 ns
工厂包装数量：30
上升时间：70 ns
功率耗散：185 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：45 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.95 Ohms
漏极连续电流：6.3 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQA6N80_F109的详细信息，包括FQA6N80_F109厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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