FQA6N90C

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-3P
数量:
 5778  
说明:
 MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQA6N90C PDF参数资料

中文参数如下:

零件号别名:FQA6N90C_NL
典型关闭延迟时间:55 ns
工厂包装数量:30
上升时间:90 ns
功率耗散:198 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5.5 S
下降时间:60 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):2.3 Ohms
漏极连续电流:6 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:900 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQA6N90C的详细信息,包括FQA6N90C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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