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FQA6N90C_F109

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-3PN
数量：
 5124  
说明：
 MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQA6N90C_F109 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：55 ns
工厂包装数量：30
上升时间：90 ns
功率耗散：198 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：60 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3PN
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.3 Ohms
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQA6N90C_F109的详细信息，包括FQA6N90C_F109厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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