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FQA70N08

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P
数量：: 1746
说明：: MOSFET

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FQA70N08 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：90 ns
上升时间：300 ns
功率耗散：190 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：145 ns
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.017 Ohms
漏极连续电流：77.5 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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