FQA70N08

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-3P
数量:
 1746  
说明:
 MOSFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FQA70N08-TO-3P图片

FQA70N08 PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:90 ns
上升时间:300 ns
功率耗散:190 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:145 ns
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.017 Ohms
漏极连续电流:77.5 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:80 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQA70N08的详细信息,包括FQA70N08厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • FQA7N80C图片

    FQA7N80C

    MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC