FQA6N90

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-3P-3,SC-65-3
数量:
 4626  
说明:
 MOSFET 900V N-Channel QFET
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FQA6N90 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:95 ns
工厂包装数量:30
上升时间:80 ns
功率耗散:198 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5.5 S
下降时间:55 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.93 Ohms
漏极连续电流:3.87 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:900 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQA6N90的详细信息,包括FQA6N90厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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