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FQA58N08

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-3P
数量：
 1728  
说明：
 MOSFET
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FQA58N08-TO-3P图片

FQA58N08 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：70 ns
上升时间：200 ns
功率耗散：180 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：95 ns
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.024 Ohms
漏极连续电流：64 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQA58N08的详细信息，包括FQA58N08厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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