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FQA55N10

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P
数量：: 4536
说明：: MOSFET 100V N-Channel QFET

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FQA55N10 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FQA55N10_NL
典型关闭延迟时间：110 ns
工厂包装数量：30
上升时间：250 ns
功率耗散：190 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：39 S
下降时间：140 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.026 Ohms
漏极连续电流：61 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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