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FDI150N10

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 I2PAK（TO-262）
数量：
 2115  
说明：
 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
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FDI150N10-I2PAK（TO-262）图片

FDI150N10 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：86 ns
工厂包装数量：50
上升时间：164 ns
功率耗散：110 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：156 S
下降时间：83 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12 mOhms
漏极连续电流：57 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDI150N10的详细信息，包括FDI150N10厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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