FDG6332C

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SC-88（SC-70-6）
数量：: 9
说明：: MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench

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FDG6332C PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FDG6332C_NL
典型关闭延迟时间：9 ns at N Channel, 6 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：7 ns at N Channel, 14 ns at P Channel
功率耗散：0.3 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2.8 S, 1.8 S
下降时间：7 ns at N Channel, 14 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：SC-70-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.3 Ohms
漏极连续电流：0.7 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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