FDG6332C_F085

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SC-70-6
数量：: 3036
说明：: MOSFET 20V N&P Chan PowerTrench

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FDG6332C_F085 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：9 nS, 6 nS
工厂包装数量：3000
上升时间：7 nS, 14 nS
功率耗散：300 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：1.1 nC, 1.4 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2.8 S, 1.8 S
下降时间：1.5 nS, 1.7 nS
包装形式：Reel
封装形式：SC-70-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：300 mOhms at 4.5 V, 420 mOhms at - 4.5 V
漏极连续电流：700 mA, - 600 mA
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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