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FDG8842CZ

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SC-88（SC-70-6）
数量：: 99
说明：: MOSFET Q1:30V/Q2: -25V Cmpl PowerTrench MOSFET

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FDG8842CZ PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：9 nS, 35 nS
工厂包装数量：3000
上升时间：1 nS, 16 nS
功率耗散：360 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：1 nS, 16 nS
包装形式：Reel
封装形式：SC-70-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：400 mOhms at 4.5 V at N Channel, 1100 mOhms at 4.5 V at P Channel
漏极连续电流：750 mA, - 410 mA
闸/源击穿电压：+/- 12 V, - 8 V
汲极/源极击穿电压：30 V, 25 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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