FDG6335N_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SC-70-6
数量：: 5436
说明：: MOSFET FDG6335N

一、本商品被浏览0次.

FDG6335N_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：9 ns
上升时间：7 ns
功率耗散：0.3 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2.8 S
下降时间：7 ns
包装形式：Reel
封装形式：SC-70-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.3 Ohms
漏极连续电流：0.7 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDG6335N_Q的详细信息，包括FDG6335N_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：