FDD8586

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252AA
数量：: 7695
说明：: MOSFET 20V 35A 5.5 OHM NCH DPAK PO

一、本商品被浏览0次.

FDD8586 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：47 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：11 ns
功率耗散：77 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：175 S
下降时间：25 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.004 Ohms
漏极连续电流：35 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD8586的详细信息，包括FDD8586厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：