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FDD86102

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：
 35412  
说明：
 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
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FDD86102-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

FDD86102 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
功率耗散：3.1 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：13.4 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：21 S
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：19 mOhms
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD86102的详细信息，包括FDD86102厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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