FDD86326

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 945
说明：: MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD86326-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

FDD86326 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
功率耗散：62 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：7.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：21 S
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：23 mOhms
漏极连续电流：37 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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