FDD86113LZ

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 4292
说明：: MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET

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FDD86113LZ-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

FDD86113LZ PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：3.1 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-252 (DPAK)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：104 mOhms at 10 V
漏极连续电流：4.2 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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