FDD86569-F085

厂家:
  onsemi
封装:
 TO-252AA
数量:
 576  
说明:
 MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
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中文参数如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):150W(Tj)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2520 pF @ 30 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):52 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.7 毫欧 @ 80A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A(Tc)
漏源电压(Vdss):60 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:onsemi

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