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BUZ31 H

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO-220-3
数量：
 2052  
说明：
 MOSFET N-Channel 200V Transistor
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BUZ31 H PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BUZ31HXK BUZ31HXKSA1 SP000682992
典型关闭延迟时间：150 nS
上升时间：50 nS
功率耗散：95 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：12 S
下降时间：60 nS
包装形式：Tube
封装形式：PG-TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.2 Ohms at 5 V
漏极连续电流：14.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BUZ31 H的详细信息，包括BUZ31 H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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