BUZ31L H

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-220-3
数量:
 1917  
说明:
 MOSFET N-Channel 200V Transistor
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BUZ31L H PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BUZ31LHXK BUZ31LHXKSA1 SP000682996
典型关闭延迟时间:210 nS
上升时间:80 nS
功率耗散:95 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:65 nS
包装形式:Tube
封装形式:TO-220-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.2 Ohms at 10 V
漏极连续电流:13.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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