BUZ32 H

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-220-3
数量:
 1926  
说明:
 MOSFET N-Channel 200V Transistor
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BUZ32 H-TO-220-3图片

BUZ32 H PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:BUZ32HXK BUZ32HXKSA1 SP000682998
典型关闭延迟时间:55 nS
上升时间:40 nS
功率耗散:75 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:30 nS
包装形式:Tube
封装形式:TO-220-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.4 Ohms at 10 V
漏极连续电流:9.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是BUZ32 H的详细信息,包括BUZ32 H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC