BUZ31 H3045A

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO263-3
数量:
 2549  
说明:
 MOSFET N-Channel 200V Transistor
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BUZ31 H3045A PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BUZ31H3045AATMA1 BUZ31H3045AXT SP000736084
典型关闭延迟时间:150 nS
上升时间:50 nS
功率耗散:95 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:60 nS
包装形式:Reel
封装形式:TO-263-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.2 Ohms at 10 V
漏极连续电流:14.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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