首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > BUZ30A H

BUZ30A H

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO-220-3
数量：
 2325  
说明：
 MOSFET N-Channel 200V Transistor
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BUZ30A H-PG-TO-220-3图片

BUZ30A H PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：BUZ30AHXK BUZ30AHXKSA1 SP000682990
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：PG-TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：130 mOhms
漏极连续电流：21 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BUZ30A H的详细信息，包括BUZ30A H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB100N04S303ATMA1
  • SQJ138ELP-T1_GE3
  • SI7157DP-T1-GE3
  • NVMFS5C456NT1G
  • SPW15N60CFDFKSA1
  • RJK0853DPB-00#J5
  • NP45N06PUK-E1-AY
  • SIR184LDP-T1-RE3
  • RD3L150SNFRATL
  • NVTFS5C454NLWFTAG

    • 相近型号推荐

    • BUZ31 H图片

      BUZ31 H

      MOSFET N-Channel 200V Transistor

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC