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BUZ30A H

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO-220-3
数量：
 2325  
说明：
 MOSFET N-Channel 200V Transistor
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BUZ30A H-PG-TO-220-3图片

BUZ30A H PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BUZ30AHXK BUZ30AHXKSA1 SP000682990
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：PG-TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：130 mOhms
漏极连续电流：21 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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