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BSZ086P03NS3E G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TSDSON-8
数量：: 1971
说明：: MOSFET P-KANAL

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BSZ086P03NS3E G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGXT SP000473016
典型关闭延迟时间：35 ns
工厂包装数量：5000
上升时间：46 ns
功率耗散：69 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0086 Ohms
漏极连续电流：13.5 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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