BSZ086P03NS3E G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TSDSON-8
数量:
 1971  
说明:
 MOSFET P-KANAL
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中文参数如下:

零件号别名:BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGXT SP000473016
典型关闭延迟时间:35 ns
工厂包装数量:5000
上升时间:46 ns
功率耗散:69 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:8 ns
包装形式:Reel
封装形式:TSDSON-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0086 Ohms
漏极连续电流:13.5 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSZ086P03NS3E G的详细信息,包括BSZ086P03NS3E G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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